10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.048
湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响
利用射频等离子体辅助分子束外延法,在刻有周期性孔点阵结构的Si衬底上生长了ZnO二维周期结构薄膜,系统研究了湿法化学刻蚀对孔形点阵Si(100),Si(111)基片表面形貌的影响,以及两种初底上ZnO外延薄膜的结晶质量与周期形貌的差异.X射线衍射及扫描电子显微测试结果表明:Si(111)衬底上生长出的ZnO二维周期结构薄膜具有较好的结晶质量与较好的周期性表面形貌.该研究结果为二维周期结构的制备提供了一种新颖的方法.
znO、分子束外延、Si、湿法刻蚀
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O3(力学)
国家科学基金50532090;60606023;10604007;国家科技部资助项目2007CB936203;中国科学院资助的课题
2009-04-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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309-314