SiX2(X=H,F)分子的结构与势能函数

摘要：

应用QCISD/6-311++G(3df,3pd)和B3P86/6-311++G(3d2f)对SiH2,SiF2的结构进行了优化,优化出SiH2分子的稳定构型为C2v,电子态为1A1,其平衡核间距Re=0.15149 nm、键角∠HSiH=92.5025°,离解能为3.7098 eV.SiF2分子的稳定构型为C2v,电子态为1A1,其平衡核间距Re=0.16014 nm、键角∠FSiF=100.7079°、离解能为14.1391eV.并对它们的力常数及谐振频率进行了进一步的计算.在推断出SiX2(X=H,F)的离解极限的基础上,应用多体展式理论方法,导出了基态SiX:(X=H,F)分子的解析势能函数,该势能表面准确地再现了SiX:(X=H,F)分子的结构特征和能量变化.分析讨论势能面的静态特征时得到SiH+H-SiH2反应中存在鞍点,活化能为192.971 kJ/mol,为有阈能的反应.而SiF+F→SiF2反应中没有鞍点,是无阈能的反应.

关键词：SiH2、SiF2、多体项展式理论、势能函数

所属期刊栏目：58

分类号：O56(分子物理学、原子物理学)

资助基金：国家自然科学基金10574039;教育部科学技术研究重点项目206084;河南省创新型科技人才队伍建设工程项目084100510011;河南省高等学校杰出科研人才创新工程项目2006KYCX002

在线出版日期：2009-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：201-208