插层化合物Ag1/4TiSe2电子结构的第一性原理研究

摘要：

采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选用局域密度近似对Ag1/4TiSe2及TiSe2的几何结构进行了优化和总能量计算.计算得到的晶格常量与实验结果符合较好,负的形成能表明有序Ag1/4TiSe2系统的稳定性.布居数、键长、能带结构和态密度的计算结果显示:Ag以较强的离子性结合于Ag1/4TiSe2中.Ag的插入使得半金属性的TiSe2变为金属性的Ag1/4TiSe2,导电性质得到明显改善.

关键词：Ag1/4TiSe2、电子结构、插层化合物、第一性原理计算

所属期刊栏目：57

分类号：O6(化学)

资助基金：中国民用航空总局教育研究基金03-3-07;中国民航大学科研启动基金05YK26S

在线出版日期：2009-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：7827-7832