10.3321/j.issn:1000-3290.2008.12.067
插层化合物Ag1/4TiSe2电子结构的第一性原理研究
采用基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选用局域密度近似对Ag1/4TiSe2及TiSe2的几何结构进行了优化和总能量计算.计算得到的晶格常量与实验结果符合较好,负的形成能表明有序Ag1/4TiSe2系统的稳定性.布居数、键长、能带结构和态密度的计算结果显示:Ag以较强的离子性结合于Ag1/4TiSe2中.Ag的插入使得半金属性的TiSe2变为金属性的Ag1/4TiSe2,导电性质得到明显改善.
Ag1/4TiSe2、电子结构、插层化合物、第一性原理计算
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O6(化学)
中国民用航空总局教育研究基金03-3-07;中国民航大学科研启动基金05YK26S
2009-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
7827-7832