Be掺杂纤锌矿ZnO电子结构的第一性原理研究

摘要：

采用密度泛函理论结合投影缀加波方法,对Be掺杂导致ZnO禁带宽度增加的机理进行了研究.通过对掺杂前后电子能带结构、总态密度以及分态密度的计算和比较,发现导带底(CBM)是由Be 2s电子与Zn 4s电子共同控制;而BexZn1-xO价带顶 (VBM)始终由O 2p电子占据.随着掺杂量的增加,决定带隙宽度的CBM的位置上升,同时VBM的位置下降,从而导致了带隙的变宽,出现了蓝移现象.此外,Be掺杂会使晶胞发生压缩,这种压应变也是导致BexZn1-xO禁带宽度变宽的原因之一.

关键词：密度泛函理论、电子结构、Be掺杂ZnO

所属期刊栏目：57

分类号：O6(化学)

资助基金：国家自然科学基金10605009;10774018;国家重点基础研究发展规划973计划2007CB616902;中国科学院知识创新工程青年人才项目0714061A01

在线出版日期：2009-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：7806-7813