密度泛函方法对SiO分子基态(X 1 Σ+)势能函数的研究

摘要：

利用密度泛函B3P86方法,分别选用STO-3G,D95**,6-311G,6-311 + + G,6-311 + + G**,cc-PVTZ基组对SiO分子基态(X 1 Σ+)进行结构优化计算.通过比较得出,cc-PVTZ基组为对SiO分子基态(X 1 Σ+)进行结构优化最优基组的结论.使用密度泛函B3P86方法,选用cc-PVTZ基组进行单点能扫描,用正规方程组拟合SiO分子基态(X 1 Σ+)的Murrell-Sorbie函数,得到解析势能曲线.最后,由得到的解析势能函数计算了相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωeχe),并与实验值进行了比较.

关键词：B3P86、SiO、势能函数、光谱常数

所属期刊栏目：57

分类号：O56(分子物理学、原子物理学)

资助基金：河南省高等学校杰出科研人才创新工程项目2006KYCX002;河南省教育厅基础研究计划2008A140006

在线出版日期：2009-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：7577-7580