H2,He混合稀释生长微晶硅锗薄膜

摘要：

采用H2,He混合气体稀释等离子辅助反应热化学气相沉积法生长微晶硅锗薄膜,并在生长过程中对等离子体进行光发射光谱在线监测.结果表明:混合气体稀释法可以有效提高等离子体中的原子氢数目,降低等离子体中的电子温度;用XRD和光暗电导率表征样品的微结构和光电特性时发现,通过优化混合稀释气体中He和H2气体的比例,能够减少薄膜中的缺陷态,促进薄膜<220>择优取向生长,有效改善微晶硅锗薄膜结构,提高光电吸收性能.

关键词：化学气相沉积、微晶硅锗薄膜、光发射光谱、X射线衍射

所属期刊栏目：57

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB202602;2006CB202603;科技部国际科技合作项目2006DFA62390;天津市市应用基础及前沿技术研究计划08JCZDJC 22200;国家科技计划配套项目07QTPTJC29500

在线出版日期：2009-02-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：7338-7343