N型4H-SiC同质外延生长

摘要：

利用水平式低压热壁CVD(LP-HW-CVD)生长系统,台阶控制生长和衬底旋转等优化技术,在偏晶向的4H-SiCSi(0001晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长,生长温度和压力分别为1550℃和104 Pa,用高纯N2作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,生长速率控制在5 μm/h左右.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和Hg/4H-SiC肖特基结构对同质外延表面形貌、厚度、掺杂浓度以及均匀性进行了测试.实验结果表明,4H-SiC同质外延在表面无明显缺陷,厚度均匀性1.74%,1.99%和1.32%(σ/mean),掺杂浓度均匀性为3.37%,2.39%和2.01%.同种工艺条件下,样品间的厚度和掺杂浓度误差为1.54%和3.63%,有很好的工艺可靠性.

关键词：4H-SiC、同质外延生长、水平热壁CVD、均匀性

所属期刊栏目：57

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划51327020202;教育部科学技术研究重点项目106150

在线出版日期：2009-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6649-6653