GeC薄膜的射频磁控反应溅射制备及性质

摘要：

用射频磁控反应溅射法在ZnS衬底上制备了GeC薄膜,研究了工艺参数对Ge靶溅射及GeC薄膜红外透射性能的影响.衬底温度较低时GeC薄膜中含有H,形成了CH2,CH3,Ge-CH3等,使薄膜产生红外吸收;随衬底温度升高,薄膜红外吸收明显减小.靶基距、射频功率、Ar:CH4气体流量比、总气压对靶面中毒及溅射影响较大,但对GeC薄膜红外吸收影响较小.靶面中毒严重时,所制备无氢GeC薄膜附着性能差,随靶中毒减弱薄膜附着性能变好.优化工艺后,在ZnS衬底上制备了附着性能良好的无氢GeC薄膜,其折射率约为1.78,薄膜中C的含量比Ge的大,二者主要形成了C-Ge键.所制备的GeC/GaP红外增透保护膜系对ZnS衬底有良好的增透效果.

关键词：GeC薄膜、红外透射光谱、射频磁控溅射、XPS

所属期刊栏目：57

分类号：O6;O4

资助基金：国家航空科学基金04G53043

在线出版日期：2009-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6587-6592