高压双扩散漏端MOS晶体管双峰衬底电流的形成机理及其影响

摘要：

利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30 V的双扩散漏端MOS晶体管(double diffused drain MOS,DDDMOS).观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线(Ih-Vg曲线)有两个峰.通过实验和TCAD模拟揭示了DDDMOS衬底电流的形成机理,发现衬底电流第一个峰的成凶与传统MOS器件相同;第二个峰来自于发牛在漂移区远离沟道一侧高场区的碰撞离化电流.通过求解泊松方程和电流连续性方程,分析了器件的物理和几何参数对导致衬底电流重新上升的漂移Ⅸ电场的影响.在分析了DDDMOS衬底电流的第二个峰形成机理的基础上,考察了其对器件的可靠性的影响.

关键词：高压器件、衬底电流、可靠性

所属期刊栏目：57

分类号：TN3;TN4

在线出版日期：2008-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4492-4496