控制氧化层对双势垒纳米硅浮栅存储结构性能的影响

摘要：

在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中,利用逐层淀积非品硅(a-Si)和等离子体氧化相结合的方法制备二氧化硅(SiO2)介质层.电容电压(C-V)和电导电压(G-V)测量结果表明:利用该方法在低温(250℃)条件下制备的SiO2介质层均匀致密,其固定氧化物电荷和界面态密度分别为9×1011cm-2和2×1011cm-2·eV-1,击穿场强达4.6MV/cm,与热氧化形成的SiO2介质层的性质相当.将该SiO2介质层作为控制氧化层应用在双势垒纳米硅(nc-Si)浮栅存储结构中,通过调节控制氧化层的厚度,有效阻止栅电极与nc-Si之间的电荷交换,延长存储时间,使存储性能得到明显改善.

关键词：等离子体氧化、二氧化硅、纳米硅、控制氧化层

所属期刊栏目：57

分类号：TN3;O48

资助基金：国家自然科学基金90301009,60571008.国家重大科学研究计划项目

在线出版日期：2008-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4482-4486