Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究
利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-zCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因.
Zn1-xCoxO稀磁半导体、X射线吸收精细结构谱、脉冲激光气相沉积法
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TP2;TN3
国家自然科学基金10575099,10635060,10605024资助的课题
2008-09-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
4328-4333