10.3321/j.issn:1000-3290.2008.06.095
半导体硅熔体的有效(磁)黏度
用钕铁硼(NdFeB)永磁材料构建"魔环"结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引人磁场,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的有效黏度(磁黏度).在温度一定时,测得的磁黏度随着磁场强度的增加而增加,二者呈抛物线关系.熔硅温度升高,磁场影响加剧.1490-1610℃温度区间内,磁黏度有异常变化.当引入磁场强度为0.068T时,熔硅有效黏度比原黏度增加2-3个数量级,证明引入磁场是硅单晶大直径生长时,抑制熔硅热对流的有效手段.
硅熔体、有效(磁)黏度、魔环永磁体、回转振荡法
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TN3;TK1
河北省自然科学基金批准号:503054.国家自然科学基金50372016;河北工业大学博士启动基金和教育部科学研究重点项目205017资助的课题
2008-07-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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