室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性

摘要：

运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据.

关键词：(Ga、Mn)As稀磁半导体、时间分辨克尔光谱、电子自旋弛豫、DP机理

所属期刊栏目：57

分类号：TF1;O47

资助基金：国家自然科学基金60490295,60678009,10334030;高等学校博士学科点专项科研基金20050558030资助的课题

在线出版日期：2008-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3857-3861