10.3321/j.issn:1000-3290.2008.06.091
InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究
采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In0.1Ga0.9N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为0.2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3:1,而不支持1:1或1:0.94的观点.同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理.
电子自旋、InGaN、自旋极化、自旋弛豫
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O46;TN2
国家自然科学基金60490295,60678009;高等学校博士学科点专项科研基金20050558030资助的课题
2008-07-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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