溅射制备纳米晶GaN:Er薄膜的室温发光特性

摘要：

利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为5.8nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6-8nm之间;紫外可见谱结果表明在500-700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为3.22eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er3+离子在554nm处的强烈绿光发射.

关键词：纳米晶GaN薄膜、Er《’3+》掺杂、光学带隙、光致发光

所属期刊栏目：57

分类号：TG1;TN3

资助基金：教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-04-0975资助的课题

在线出版日期：2008-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3786-3790