介质层充电对光栅光调制器驱动的影响

摘要：

利用高斯定理分析了二氧化硅层中存在电荷时,光栅光调制器中的空间电场分布,得到了光栅光调制器在介质层存贮电荷影响下的静电力公式.分析了调制器中二氧化硅介质的充电和放电机理,得到了光栅的位移随介质充放电的变化关系.通过分析指出当驱动电压的周期和介质的充放电时间常数相近的时候,介质层中存贮的电荷会使得可动光栅被下拉后发生缓慢的回跳.电压被撤消后,光栅会受到存贮电荷所产生电场的作用而被下拉.当驱动电压的周期远小于介质的充放电时间常数的时候,随着存贮电荷的增加,光栅在有外加电场时被下拉的距离和外加电场为零时被下拉的距离逐渐相等,光调制器输出光的光强变化逐渐减弱,当存贮电荷产生的电场为外加电场的一半时,器件完全失效.通过实验对理论分析的结果进行了验证,实验结果和理论分析一致.文章最后提出了一种消除介质层所存贮的电荷的方法,通过实验证明了这种方法的可行性.

关键词：微机电系统、光栅光调制器、介质层充电

所属期刊栏目：57

分类号：TN3;O44

资助基金：国家自然科学基金60708017;重庆市院士基金8883资助的课题

在线出版日期：2008-07-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：3600-3606