10.3321/j.issn:1000-3290.2008.04.091
一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法
提出了一种减小GaN肖特基结构紫外探测器暗电流的方法.该方法是在普通的GaN肖特基结构的表面增加一层薄的p-GaN.模拟计算结果表明,该层p-GaN能增加肖特基势垒高度,从而减小了器件的暗电流,提高了器件性能.进一步的计算还发现,对于P型载流子浓度较高的情况下,只需要很薄的一层p-GaN就能显著增加肖特基势垒高度,对于P型载流子浓度较低的情况下,则需要较厚的一层p-GaN才能有较好的肖特基势垒高度增加效果.
GaN、肖特基结构、紫外探测器、暗电流
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O4(物理学)
中国农业大学青年教师科研启动基金2006007
2008-06-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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