AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管的场板尺寸优化分析

摘要：

对不同场板尺寸的AlGaN/GaN场板结构高电子迁移率晶体管进行了研究,建立简化模型分析场板长度对沟道电场分布的影响.结果表明,调整钝化层厚度和场板长度都可以调制沟道电场的分布形状,当场板长度较小时,随着长度的增大器件击穿电压随之增加,而当长度增大到一定程度后器件击穿电压不再增加.通过优化场板长度,器件击穿电压提高了64%,且实验结果与模拟结果相符.

关键词：AlGaN/GaN、击穿电压、场板长度

所属期刊栏目：57

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2002CB311904;国家自然科学基金60676048;F040402

在线出版日期：2008-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2456-2461