AlxGa1-xN/GaN双量子阱的结构和掺杂浓度对子带间跃迁波长和吸收系数的影响

摘要：

用薛定谔方程和泊松方程自洽计算的方法研究了Al0.75Ga025N/GaN对称双量子阱(DQWs)中子带间跃迁(ISBT)的波长和吸收系数对中间耦合势垒高度、中间耦合势垒宽度、势阱宽度和势垒掺杂浓度的依赖关系.研究发现,第一奇序子带S1ood与第二偶序子带S2evenISBT波长随着中间耦合势垒高度的降低而变短.当中间耦合势垒高度高于0.62 eV时,Slotld-S:一ISBT吸收系数随着中间耦合势垒的降低而增加.当减小AlxGa1-xN/GaN的DQWs中间耦合势垒宽度时,S1odd-S2evenISBT波长将变短,其吸收系数变大.另一方面,当对称DQWs的势阱宽度大于1.9 nm时,S1odd-S2evenISBT波长随着势阱的变窄而减小,S1odd-S2evenISBT吸收系数随着势阱的变窄而增加.当势垒中的掺杂浓度小于1018/cm3时,S1odd-S2evenISBT波长基本不随掺杂浓度变化,而吸收系数随掺杂浓度的增加而增加.这些结果对于利用DQWs实现工作于光纤通信波段超快的、基于三能级或四能级系统的双色光电子器件的应用具有指导意义.

关键词：自洽、AlxGa1-xN/GaN双量子阱、子带间跃迁

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金60325413;国家重点基础研究发展计划973计划2006CB604908;教育部科学技术研究重点项目705002;北京市自然科学基金4062017

在线出版日期：2008-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：2386-2391