调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子

摘要：

报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2-5 K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果. 观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光. PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献,非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field). 在平行于QW生长方向的强磁场中,掺杂样品的发光强度和主发光峰能量都显示了一个光学Shubinkov-de Hass (SdH) 振荡. 这些特征及另外的吸收光谱测量结果都表明,在掺杂样品中已经形成了一个高浓度的二维电子气; 它具有type-Ⅱ QW所特有的带电激子的特征.

关键词：光致发光、二维电子气、带电激子、Ⅱ型量子阱

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分类号：O4(物理学)

资助基金：日本文部省科学研究资助项目15034203;日本文部省科学研究资助项目15540310

在线出版日期：2008-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1214-1219