插入生长AlGaAs薄膜对InAs量子点探测器性能的影响

摘要：

利用分子束外延生长获得的两个InAs量子点样品制备了n型的量子点红外探测器.对于其中一个器件,在InAs量子点有源区的底部和顶部分别插入生长了AlGaAs势垒层.利用透射电阻显微技术研究了两个样品的结构特性;利用光致发光光谱和光电流谱研究了两个器件的光电性质.实验结果表明,AlGaAs层的插入对器件的探测性质有显著的影响.利用有三维效质量近似模型的计算结果,指认了带内光电流谱中峰结构的起源.

关键词：InAs 量子点、AlGaAs薄膜、光致发光光谱、有效质量近似模型

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2004CB619004;国家自然科学基金60567001

在线出版日期：2008-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1155-1160