感应耦合等离子体刻蚀p-GaN的表面特性

摘要：

研究了p-GaN材料经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后的表面特性,并用不同的方法对刻蚀表面进行处理.利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对刻蚀样品进行分析,并在样品表面制作Ni/Au电极,进行欧姆接触特性的测试.实验结果表明了NaOH溶液处理表面对改善材料表面和欧姆接触特性是比较有效的.

关键词：GaN、感应耦合等离子刻蚀、表面处理、欧姆接触

所属期刊栏目：57

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划51327020301

在线出版日期：2008-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1128-1132