低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响

摘要：

研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃,然后在750℃退火64 h过程中的氧沉淀行为. 结果表明,Ramping对硅片中氧沉淀的形成有明显的促进作用,且起始温度越低促进作用越强. 这是因为在Ramping处理中,低温(450-650℃)热处理阶段氧的扩散速率显著增强,促进了氧沉淀核心的形成,且较低的Ramping升温速率有利于氧沉淀核心的稳定和继续长大. 进一步的实验结果还表明,低起始温度的Ramping处理可应用于硅片的内吸杂工艺,能促进氧沉淀的生成提高硅片的内吸杂能力,减少热预算,但不适用于魔幻洁净区(MDZ)工艺.

关键词：直拉硅、氧沉淀、退火

所属期刊栏目：57

分类号：O4(物理学)

资助基金：教育部创新团队和新世纪优秀人才支持计划;国家重点基础研究发展计划973计划2007CB6130403;浙江理工大学校科研和教改项目0613265-Y

在线出版日期：2008-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1037-1042