有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究

摘要：

采用高纯有机硅化合物和金属氧化物,按比例均匀混合制成糊状材料,涂敷于器件台表面,用于半导体p-n结表面特性的控制和保护.固化后该材料在室温下的体电阻率大于7.5×1015Ω·cm,介电常数为4.7,击穿电压高于16kV/mm.该材料用于KP500型晶闸管表面保护,能明显改善器件的表面特性、减少漏电流和提高耐压水平,并对提高器件性能的机理进行了研究.

关键词：绝缘保护材料、性能、晶闸管、机理

所属期刊栏目：57

分类号：O4(物理学)

资助基金：山东省自然科学基金Y2003A01

在线出版日期：2008-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：576-580