室温生长MgO底层诱导(001)取向FePt薄膜的有序化过程对FePt成分的依赖

摘要：

室温下通过磁控溅射在表面热氧化的Si基片上生长了MgO/FexPt100-x双层膜和FexPt100-x单层膜系列样品,FexPt100-x的原子成分x=48-68.研究了热处理前后不同成分FePt薄膜的晶体结构和磁性的变化,尤其是MgO底层的引入对FePt的晶体结构和磁性的影响.实验结果显示,直接生长在基片上的FePt薄膜具有较强的(111)织构,而经过MgO底层诱导,所有不同成分的制备态FePt薄膜都表现出一定的(001)取向.热处理后,单层膜样品的强烈(111)织构基本不变,当Fe和Pt接近等原子比即52∶48时,薄膜最容易发生有序化;对于生长在MgO底层的FePt薄膜,所有样品的(001)织构在退火后显著增强,有序化对FePt成分的依赖完全不同于单层膜的情形.当Fe和Pt原子比为59∶41时,生长在MgO底层上的FePt薄膜最容易有序化,表现出非常好的垂直易磁化特性,通过MgO底层对FePt薄膜微结构进而对其有序化的影响,对此进行了解释.

关键词：FePt(001)薄膜、L10相

所属期刊栏目：56

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金50271081

在线出版日期：2008-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：7266-7273