磁控溅射法合成纳米β-FeSi2/a-Si多层结构

摘要：

β-FeSi2作为一种环境友好的半导体材料,颗粒化及非晶化正在成为提高其应用性能和改善薄膜质量、膜基界面失配度的有效途径.利用射频磁控溅射法在单晶Si基体上沉积Fe/Si多层膜,合成纳米β-FeSi2/Si多层结构.通过透射电子显微镜、高分辨电子显微术等分析手段,研究了多层结构和制备工艺之间的相互关系.研究结果表明,采用磁控溅射Fe/Si多层膜的方法,不需要退火就可以直接沉积得到β-FeSi2相小颗粒.β-FeSi2相颗粒尺寸在20 nm以下,小的颗粒尺寸导致发光蓝移,带隙宽度变大,Edg值约为0.94 eV.经过850 ℃的真空退火处理后,β-FeSi2相没有发生改变,颗粒尺寸变大、蓝移效果消失,β-FeSi2相小颗粒的尺寸仍小于100 nm,结构的稳定性较好.

关键词：β-FeSi2、磁控溅射、透射电子显微镜、半导体薄膜

所属期刊栏目：56

分类号：O4(物理学)

资助基金：辽宁省大连市科技计划2005J22JH043

在线出版日期：2008-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：7188-7194