用于紫外探测器DBR结构的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究

摘要：

利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同工艺条件下的高质量AlGaN材料的制备.得到了无裂纹的全组分AlxGa1-xN(0＜x＜1)薄膜.通过XRD,SEM,AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对材料的结构质量、组分、厚度和表面形貌的影响.分析了不同生长工艺对AlGaN材料特性的影响.研制的高质量AlGaN材料在紫外探测器的DBR结构应用中得到比较好的特性.

关键词：AlGaN、DBR、紫外探测器、MOCVD

所属期刊栏目：56

分类号：TB3(工程材料学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB6049;国家自然科学基金60390072;60476030;60421003;60676057;教育部科学技术研究项目10416;教育部高等学校博士学科点专项科研基金20050284004;江苏省自然科学基金BK2005210;BK2006126

在线出版日期：2008-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6717-6721