碳纳米管束中的正电子理论
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.088

碳纳米管束中的正电子理论

引用
采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了大范围内不同管径的单壁碳纳米管束中的正电子情况,发现对于单壁碳纳米管束,正电子的主要湮没区域,湮没对象和正电子寿命随碳纳米管管径的不同而发生规律性变化.计算得到管径范围在0.8-1.6 nm的碳纳米管束的正电子寿命范围为332-470 ps,与实验测得的394 ps符合较好.

局域密度近似、单壁碳纳米管、正电子寿命

56

O6(化学)

国家自然科学基金10475072;10675115

2008-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

6695-6700

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

物理学报

1000-3290

11-1958/O4

56

2007,56(11)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn