表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场模型

摘要：

提出表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场和击穿电压解析模型. 基于分区求解二维Poisson方程,获得double RESURF表面电场的解析式. 借助此模型,研究了器件结构参数对表面电场和电势的影响; 计算了漂移区长度和厚度与击穿电压的关系,给出了获得最大击穿电压和最小导通电阻的途径. 数值结果,解析结果和试验结果符合较好.

关键词：表面注入、double RESURF、表面电场、击穿电压

所属期刊栏目：56

分类号：O57(原子核物理学、高能物理学)

在线出版日期：2008-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6660-6665