AlGaN/GaN异质结载流子面密度测量的比较与分析

摘要：

对MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长的不同Al组分AlGaN/GaN异质结进行了范德堡法Hall测量和电容-电压(C-V)测量,发现Hall测量载流子面密度值大于C-V测量值,并且随着AlGaN层Al组分的增加,两种测量值都在增加,同时它们的差值也在增加.认为产生这一结果的原因有两方面.一方面,Ni/Au肖特基金属淀积在AlGaN/GaN异质结上,改变了AlGaN势垒层的表面状态,使得一部分二维电子气(2DEG)电子被抽取到空的施主表面态中,从而减小了AlGaN/GaN异质结界面势阱中的2DEG浓度.随着势垒层Al组分的增加,AlGaN层产生了更多的表面态,从而使得更多的电子被抽取到了空的表面态中.另一方面,由于C-V测量本身精确度受到串联电阻的影响,使得测量电容小于实际电容,从而低估了载流子浓度.

关键词：AlGaN/GaN异质结、电容-电压测量、载流子面密度、串联电阻效应

所属期刊栏目：56

分类号：O6(化学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划513270203;2002CB3119;国防重点实验室基金51432030204DZ0101;51433040105DZ0102

在线出版日期：2008-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6629-6633