10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.075
带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究
场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k1N2*(L-d1)2+[1/k1+(L-d1)]2,且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明,纳米线突出栅孔的部分(L-d1)与栅孔半径越大,则场增强因子越大;而纳米线半径越小,则场增强因子越大;当L远大于d1时满足β∝L/r0.其中N=N1(k1r0)/N0(k1r0),N0(k1r0)和N1(k1r0)分别代表零阶和一阶Neumann函数,k1=0.8936/R,R为栅孔半径,L为纳米线长度,r0为纳米线半径,d1表示阴极与栅极间距.
纳米线、冷阴极、场增强因子、场发射
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O4(物理学)
国家自然科学基金50072029;50572101
2008-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
6616-6622