带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究

摘要：

场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k1N2*(L-d1)2+[1/k1+(L-d1)]2,且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明,纳米线突出栅孔的部分(L-d1)与栅孔半径越大,则场增强因子越大;而纳米线半径越小,则场增强因子越大;当L远大于d1时满足β∝L/r0.其中N=N1(k1r0)/N0(k1r0),N0(k1r0)和N1(k1r0)分别代表零阶和一阶Neumann函数,k1=0.8936/R,R为栅孔半径,L为纳米线长度,r0为纳米线半径,d1表示阴极与栅极间距.

关键词：纳米线、冷阴极、场增强因子、场发射

所属期刊栏目：56

分类号：O4(物理学)

资助基金：国家自然科学基金50072029;50572101

在线出版日期：2008-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：6616-6622