10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.071
节瘤缺陷对中红外高反射膜电场增强影响的数值分析
运用时域有限差分(FDTD)方法建立了薄膜中节瘤缺陷在高斯激光照射下电磁场响应模型,分析了节瘤的深度、起始颗粒大小和入射光角度对薄膜中电磁场的影响.结果表明:节瘤缺馅对薄膜中电场强度有显著的加强作用,其内部峰值场强是入射光的6倍,大而浅节瘤缺陷对倾斜入射p偏振态的激光具有最高的加强效应.
多层介质薄膜、中红外、节瘤缺陷、高斯光
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O4(物理学)
国家重点实验室基金
2008-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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