10.3321/j.issn:1000-3290.2007.11.064
锆离子注入锆-4合金缺陷的慢正电子研究
采用慢正电子束多普勒展宽谱研究了Zr离子注入Zr-4合金产生的缺陷及其退火回复行为,发现经过大于离子注入剂量为1×1016 cm-2的样品所产生的缺陷在注入过程中已经回复,而对剂量为1×1015 cm-2样品做300℃退火处理,其缺陷基本回复,得出合金缺陷回复能较低的结论. 考虑到材料的缺陷含量越高,其抗腐蚀性能越差,在辐照环境下通过给材料保持一定温度,即可使其缺陷得到较好回复,从而提高材料的抗腐蚀性能.
锆离子注入、慢正电子束、缺陷
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TG1(金属学与热处理)
国家自然科学基金10275076;10275077;10475096
2008-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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