利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子

摘要：

利用解析和数值方法计算了Z形磁阱的囚禁势,发现当囚禁中心和芯片表面距离较远时(该距离和Z形线中部导线的一半长度相差不超过一个量级),势阱的深度不能近似表示成偏置磁场By对应的能量,而要减去囚禁中心的势能高度;而增加By进行磁阱压缩到一定值时,势阱深度反而会下降.此外介绍了原子芯片的制作方法,以及利用原子芯片上Z形磁阱囚禁中性87Rb原子的实验装置和实验过程.最终有2×106个87Rb原子被转移到Z形磁阱中.

关键词：原子芯片、Z形磁阱、阱深、磁阱装载

所属期刊栏目：56

分类号：O56(分子物理学、原子物理学)

资助基金：国家自然科学基金10334050;10474105;国家重点基础研究发展计划973计划2006CB921202

在线出版日期：2008-01-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：6367-6372