镓铝双质掺杂在制造快速晶闸管中的应用研究

摘要：

采用开管式Al乳胶源涂布与气相Ga相结合的技术,实现了镓铝双质在n型si中的均匀掺杂,得到了p型半导体.研究了镓铝双质掺杂的方法及其与器件性能的关系,并讨论了机理.利用扩展电阻法、四探针和晶闸管测试仪等手段,测试了镓铝扩散si片的杂质分布规律、薄层电阻Rs及快速晶闸管的多项参数.利用该技术制造的快速晶闸管的关断时间toff为31.2-38.6 μs,开通时间ton为4.6-5.9 μs,通态峰值压降VTM为1.9-2.1 V.实验和试用表明,该掺杂技术能明显提高器件的综合性能、电参数一致性和成品率,为制造快速晶闸管提供了一种可行的受主双质掺杂新工艺.

关键词：快速晶闸管、镓铝双质掺杂技术、杂质浓度分布

所属期刊栏目：56

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：山东省自然科学基金Y2003A01

在线出版日期：2007-09-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：4823-4828