显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E0+△0光学性质

摘要：

通过显微光致发光技术和显微拉曼(Raman)技术研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)晶体的带边附近的发光.在光荧光谱中,观察到在高于GaAs带边0.348 eV处有一个新的荧光峰.结合Raman谱指认此发光峰来源于GaAs的E0+△0能级的非平衡荧光发射.同时,通过研究E0+△0能级的偏振、激发光强度依赖关系,以及温度依赖关系说明E0+△0能级与带边E0共享了共同的导带位置Г6,同时这也说明在GaAs中主要是导带的性质决定了材料的光学行为.同时,通过与n-GaAs和δ掺杂GaAs相比较,半绝缘GaAs晶体的E0+△0能级的发光峰更能反映GaAs电子能级高临界点E0+△0的能量位置和物理性质.研究结果说明显微光致发光技术是研究半导体材料带边以上能级光学性质的一种非常有力的研究工具.

关键词：半绝缘GaAs、显微光致发光、自旋轨道分裂

所属期刊栏目：56

分类号：O6(化学)

资助基金：江苏省自然科学基金BK2004403;江苏省六大人才高峰基金;南通大学校级项目052011

在线出版日期：2007-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4213-4217