Si/SiGe量子级联激光器的能带设计

摘要：

详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6 k·p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGe/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系,分析Si/Si1-xGexSi量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律,最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计,有益于优化Si/SiGe量子级联激光器结构.

关键词：硅锗材料、量子级联激光器、子带跃迁、k·p方法

所属期刊栏目：56

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金60576001;60336010;福建省青年科技人才创新基金2004J021

在线出版日期：2007-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：4137-4142