沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响

摘要：

采用PECVD技术,在玻璃衬底上沉积μc-Si:H薄膜.用拉曼光谱、SEM和UV分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行分析.研究发现:沉积温度较低时,随着沉积温度的升高,薄膜的晶化率增加;当沉积温度超过某一温度值时,随着温度的进一步升高,薄膜的晶化率降低.这时,表面反应由表面扩散限制转变为流量控制.该温度值随着硅烷含量的降低而降低.

关键词：氢化微晶硅薄膜、拉曼散射谱、晶化率、UV分光光度计

所属期刊栏目：56

分类号：O6(化学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2006CB202601

在线出版日期：2007-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4122-4126