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10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.078

直拉硅单晶中原生氧沉淀的透射电镜研究

引用
利用透射电镜对掺氮(NCZ)和普通(CZ)直拉硅单晶中的原生氧沉淀进行研究.研究表明,在NCZ样品中,有高密度的粒径为5 nm的氧沉淀生成,而在CZ样品中,没有观察到这种氧沉淀.初步认为,这种细小的氧沉淀是以650℃低温下形成的N-O复合体为核心在随后的冷却过程中形成.

直拉硅、透射电镜、氧沉淀

56

O6(化学)

厦门大学科研启动经费0000-X07157;国家自然科学基金50572094;福建省高等学校新世纪优秀人才支持计划0000-X07201

2007-08-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

4113-4116

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物理学报

1000-3290

11-1958/O4

56

2007,56(7)

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