InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究

摘要：

研究了Si重δ掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应.研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称.高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运.因此,旧的理论模型不能用于拟合实验结果.由于最新的模型在实际拟合中过于复杂,一种简单可行的近似用于处理实验结果,并获得了自旋分裂能△0和自旋轨道耦合常数a两个重要的物理参数.该结果与对纵向电阻的Shubnikov-de Haas-SdH振荡分析获得的结果一致.高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明,发展有效的反弱局域理论模型,对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要.

关键词：In0.5Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As.反弱局域、SdH振荡、二维电子气

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分类号：O4(物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划001CB309506;国家自然科学基金60221502;10374094

在线出版日期：2007-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：4099-4104