背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响

摘要：

提出一种SOI基背栅体内场降低BG REBULF(back-gate reduced BULk field)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数值仿真,分析背栅效应对厚膜高压SOI LDMOS(＞600 V)击穿特性的影响,在背栅电压为330 V时,实现器件击穿电压1020 V,较习用结构提高47.83%.该技术的提出,为600 V以上级SOI基高压功率器件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路.

关键词：SOI、背栅、体内场降低、LDMOS

所属期刊栏目：56

分类号：TM5(电器)

资助基金：国家自然科学基金60436030;模拟集成电路国家重点实验室资助课题9140C0903010604

在线出版日期：2007-08-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3990-3995