基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究

摘要：

基于对制作在n-GaN上的肖特基二极管的变温,I-V测试和C-V测试,采用表面势垒减薄模型对肖特基二极管的电流输运特性进行了研究.试验结果表明,肖特基接触的电流输运机理非常复杂,在不同的温度条件和偏压条件下有着不同的电流输运机理.在此基础上对肖特基接触,I-V特性方程进行了修正,得到了很好的拟合曲线.试验表明,高温I-V法提取的势垒高度与常温C-V法提取的势垒高度接近于根据金属功函数得出的理论势垒高度值.

关键词：氮化镓、肖特基二极管、表面势垒减薄模型、热电子场发射

所属期刊栏目：56

分类号：O46(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2002CB311904;陕西省西安市科技计划XA-AM-200616

在线出版日期：2007-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3483-3487