基于氧化锌纳米线的紫外发光二极管

摘要：

构建了基于n-ZnO纳米线/p-Si异质结的紫外发光二极管.ZnO纳米线准阵列采用水热法生长于重掺P型Si片上.此法简易,反应温度低,易于大规模生产;其产物ZnO纳米线结晶良好,以c轴为优势取向,光激发下的紫外荧光发射很强.二极管的电学接触采用聚合物填充的In阴极或以氧化铟锡(ITO)玻璃紧压形成阴极.它们的I-V特性体现出良好的二极管性质.在正向偏置电压驱动下,构建的发光二极管可稳定发射波长在387 nm的较强的近紫外光和较弱的绿光.

关键词：ZnO纳米线、异质结、电致发光、水热法

所属期刊栏目：56

分类号：O46(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2001CB610503;国家自然科学基金50672002

在线出版日期：2007-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：3479-3482