N2分压对ZrN/WN纳米多层膜缺陷性质与力学性能的影响

摘要：

利用射频磁控溅射系统在不同N2分压的条件下,制备了一系列ZrN/WN纳米多层膜.借助慢正电子湮没技术分析了样品的缺陷性质,采用纳米压痕仪研究了多层膜的力学性能.结果发现:N2分压为0.4 Pa的多层膜具有最小的空位型缺陷浓度,其中心层和膜基结合层的平均S参数分别为0.4402和0.4641,而较低或较高的N2分压都可能导致空位型缺陷浓度的增加.随着空位型缺陷浓度的减小,多层膜的硬度和临界载荷增大.对于空位型缺陷浓度最小的多层膜,其硬度和临界载荷达到最大值,分别为34.8 GPa和100 mN,说明较低的缺陷浓度有利于提高多层膜的力学件能.

关键词：ZrN/WN纳米多层膜、缺陷性质、力学性能、慢正电子湮没

所属期刊栏目：56

分类号：O46(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金50472026;天津市应用基础研究项目043801011;天津师范大学校科研和教改项目52L J39

在线出版日期：2007-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3435-3439