脉冲激光烧蚀制备纳米Si晶粒成核区位置的确定

摘要：

为了确定纳米Si晶粒气相成核的位置,采用XeCl准分子激光器,在10 Pa氩气环境下,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在距离等离子羽正下方2.0cm处、与其轴线平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底,沉积制备了纳米Si薄膜.X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜结果均显示,纳米Si晶粒只在距靶约0.5-2.8 cm平行距离范围内的样品上形成,在此范围内,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小,并且晶粒尺寸的分布也发生变化.根据成核区起始和终止的突变特征,结合晶粒形成后的平抛运动规律,对晶粒气相成核的位置进行了估算.

关键词：纳米Si晶粒、脉冲激光烧蚀、成核区

所属期刊栏目：56

分类号：O46(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：河北省自然科学基金E2005000129

在线出版日期：2007-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：3374-3378