Si/Gen/Si(001)异质结薄膜的掠入射荧光X射线吸收精细结构研究

摘要：

利用掠入射荧光X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了在400℃的温度下分子束外延生长的Si/Gen/Si(001)异质结薄膜(n=1,2,4和8个原子层)中Ge原子的局域环境结构.结果表明,在1至2个Ge原子层(ML)生长厚度的异质结薄膜中,Ge原子的第一近邻配位主要是Si原子.随着Ge原子层厚度增加到4 ML,Ge原子的最近邻配位壳层中的Ge-Ge配位的平均配位数增加到1.3.当Ge原子层厚度增加到8 ML时,第一配位壳层中的Ge-Ge配位占的比例只有55%.这表明在400℃的生长条件下,Ge原子有很强的迁移到Si覆盖层的能力.随着Ge层厚度从1增加到2,4和8 ML,Ge原子迁移到Si覆盖层的量由0.5 ML分别增加到1.5,2.0和3.0 ML.认为在覆盖Si过程中Ge原子的迁移主要是通过产生Ge原子表面偏析来降低表面能和Ge层的应变能.

关键词：XAFS、Si/Gen/Si(001)异质膜、迁移效应

所属期刊栏目：56

分类号：O46(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：国家自然科学基金批准号10375059;北京国家同步辐射实验室与合肥国家同步辐射实验室合作项目

在线出版日期：2007-07-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3344-3349