利用各向同性半导体晶体差频产生可调谐THz辐射的理论研究

摘要：

理论研究了利用剩余射线带色散补偿相位匹配原理,在Ⅲ-V族和Ⅱ-Ⅳ族光学各向同性的半导体非线性晶体中差频产生可调谐THz波的可行性问题.根据这些半导体材料的色散特性,并以近简并点双共振KTP-OPO的可调谐相干双波长输出作为差频抽运源,对它们的相位匹配能力、差频增益特性、品质因数以及差频过程中的相干长度进行了理论分析和计算,确定了ZnTe晶体是在共线相位匹配情况下较为理想的THz波差频晶体,而InP晶体则更适合用于非共线相位匹配情况.

关键词：非线性光学、THz辐射、差频、各向同性半导体晶体

所属期刊栏目：56

分类号：O37(流变学)

资助基金：国家自然科学基金10474071;高等学校博士学科点专项科研项目20040056010

在线出版日期：2007-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1390-1396