用于脉冲γ强度测量的φ60,1000 μm PIN探测器

摘要：

采用电阻率为10000-20000Ω·cm 的高阻单晶硅材料,研制成功灵敏区尺寸为φ60 mm,耗尽层厚度～1000 μm的大面积厚PIN半导体探测器.设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统,对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ/n分辨等物理参数进行了测量和分析,结果表明,这类探测器可满足低强度裂变n/γ混合场中脉冲γ强度测量的需要.

关键词：大面积、电流型、半导体探测器

所属期刊栏目：56

分类号：O57(原子核物理学、高能物理学)

在线出版日期：2007-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1353-1357