10.3321/j.issn:1000-3290.2007.02.092
O2掺杂对SiCOH低k薄膜结构与电学性能的影响
以+甲基环五硅氧烷(D5)和氧气(O2)作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CvD)方法制备了κ=2.62的SiCOH薄膜.研究了O2掺杂对薄膜结构与电学性能的影响.结果表明,采用O2掺杂可以在保持较低介电常数的前提下极大地降低薄膜的漏电流,提高薄膜的绝缘性能,这与薄膜中Si-O立体鼠笼、Si-OH结构含量的提高有关.
SiCOH薄膜、O2掺杂、介电性能、键结构
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TN3(半导体技术)
国家自然科学基金10575074;苏州大学校科研和教改项目
2007-04-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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