多晶薄膜表面粗化与生长方式转变

摘要：

采用原子力显微镜研究了磁控溅射多晶薄膜表面粗化行为对归一化沉积温度Ts/Tm(Ts是沉积温度,Tm是材料熔点)的依赖性与薄膜生长方式转变行为.随着Ts/Tm增加,薄膜表面粗糙度增加,而表征粗糙度随时间演化特征的生长指数β历经了先减小再增加的过程.β对Ts/Tm的依赖关系反映了薄膜生长方式的转变行为,即薄膜生长依次由随机生长方式向表面扩散驱动生长方式与异常标度行为生长方式转变.在低于体扩散控制薄膜生长的温度时,晶界扩散机理导致多晶薄膜的表面粗化的异常标度行为.

关键词：多晶薄膜、表面粗化、温度、生长

所属期刊栏目：56

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2004CB619302;国家自然科学基金50471035

在线出版日期：2007-04-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1110-1115